RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
35
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
9.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2468
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB RAM-Vergleiche
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link