RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
37
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
12.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2697
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link