RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
65
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
8.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
1824
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link