RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3198
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBZL 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link