RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
30
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
10.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2706
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U72CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link