RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
15.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3825
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link