RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
12.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
10.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2619
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link