RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
30
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
20.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
16.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3724
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link