RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
33
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
15.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3564
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link