RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
30
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
12.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3083
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link