RAM-Vergleich Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Gesamtnote

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 37

Rund um 19% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16 10.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.6 6.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 8500

Rund um 2.26 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1479 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns