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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
85
Rund um 65% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
6.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
1118
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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