RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
38
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
9.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2384
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO M418039 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link