RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3040
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
UMAX Technology 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link