RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
79
Rund um 62% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
79
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
7.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
1710
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link