RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
41
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
10.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2621
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link