RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
40
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
7.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
1773
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link