RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
55
Rund um 45% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
12.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2699
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link