RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
31
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3008
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link