RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
15.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3045
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link