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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
55
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
14.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1348
2894
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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