RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
41
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
10.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1348
2670
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link