RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB vs Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Gesamtnote
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Gesamtnote
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
16000
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR5
Latenzzeit in PassMark, ns
33
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
16000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC5-16000, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3671
3521
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link