RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
46
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
14.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
3371
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link