RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
46
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
16.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
3225
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link