RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
46
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
11.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
2930
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link