RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
46
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
11.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
2971
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link