RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
46
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.2
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
2220
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link