SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

Gesamtnote
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

Unterschiede

  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.6 left arrow 10.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 19200
    Rund um 1.11% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    36 left arrow 46
    Rund um -28% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    46 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.2 left arrow 14.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.6 left arrow 10.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2717 left arrow 2474
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