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Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Vergleichen Sie
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Gesamtnote
AMD R744G2133U1S 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R744G2133U1S 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
72
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1593
2415
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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