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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
77
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
2993
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
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