RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
77
Rund um -166% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
3096
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link