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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
77
Rund um -185% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
15.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
3711
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
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