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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
77
Rund um -208% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
16.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
3849
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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