RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
77
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
3102
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link