RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
77
Rund um -196% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
2955
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link