RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
77
Rund um -221% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
10.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
2462
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link