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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
77
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
2548
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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