RAM-Vergleich SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Gesamtnote

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

2 13.6

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

74 77

Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.7 1,884.0

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 6400

Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

564 1616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns