RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
32
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
10.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2609
2900
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link