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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
54
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
10.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2313
2319
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
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