RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
37
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
3636
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link