RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
37
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
12.5
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
3090
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link