RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
37
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.6
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
3431
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link