RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
38
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.1
Speicherbandbreite, mbps
17000
25600
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
3246
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link