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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.5
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
2409
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
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