RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
38
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
11.4
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
2821
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link