RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
37
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.3
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
2202
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KF548C38-16 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link