SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote
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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Unterschiede

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 37
    Rund um -6% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.6 left arrow 14.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 10.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 17000
    Rund um 1.51 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    37 left arrow 35
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.7 left arrow 17.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 12.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2438 left arrow 3221
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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