SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Gesamtnote
star star star star star
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Unterschiede

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    37 left arrow 38
    Rund um 3% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.7 left arrow 14.6
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.8 left arrow 10.6
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    37 left arrow 38
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.7 left arrow 14.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 10.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2438 left arrow 2298
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche